Wafer Edge Exposure (WEE) ist ein verbreiteter Schritt in der Großserienfertigung von Halbleitern. Mit dem WEE-Verfahren wird nach der Belichtung in Lithografie-Tools wie Wafer Steppern ein runder Rand und der ID-Bereich eines Wafers bearbeitet. Fabs integrieren diesen hochintensiven Belichtungsschritt in Ihren Produktionsprozess, um die Ausbeute an Halbleiterbauelementen auf dem Wafer zu erhöhen. WEE ermöglicht eine absolute Mindestbelichtungsbreite an der Waferkante, um Ertragsverluste zu minimieren (Positivresist) oder die Kante vor Verunreinigungen bei der weiteren Handhabung zu schützen (Negativresist). WEE-Systeme können als unabhängige Einheit in Produktionslinien eingebunden oder direkt in Stepper-Anlagen integriert werden.
Derzeit nutzen die meisten WEE-Anwendungen breitbandige Strahlung im Spektralbereich zwischen 350 und 450 nm. In erster Linie kommen dabei herkömmliche lichtleiterbasierte Quecksilberdampflampen mit einer Nennleistung von 150 bis 500 W zum Einsatz. Effizientere und zuverlässigere Alternativen zu diesen Systemen zu finden, ist eine Herausforderung, da WEE Breitbandstrahlung erfordert. Hier kommen die Advanced Light Engines ALE/1 und ALE/3 von Primelite ins Spiel, die ihre optische Leistung über flexible LED-Lichtleiter abgeben: Beide Systeme decken den Spektralbereich herkömmlicher Quecksilberdampflampen sehr gut ab und übertreffen mühelos die Intensitäten, die für die Wafer-Randbelichtung erforderlich sind.
Die WEE-Hardware besteht typischerweise aus einem Scanner, einem Spinning Device und einer leistungsstarken Punktlichtquelle mit Optik für die Wafer-Randbelichtung. Unsere UV-LED-Lichtquellen ALE/1 und ALE/3 passen genau in diese Setups: Sie sind die einzige verfügbare LED-Lösung mit i-, h- und g-Linie zur breitbandigen Wafer-Randbelichtung. Die umweltfreundlichen UV-LED Lichtquellen ALE/1 und ALE/3 lassen sich präzise steuern und gewährleisten so optimale Belichtungsergebnisse. Darüber hinaus steigern sie die Effizienz Ihrer Anlagen im täglichen Betrieb: Zum einen bedeutet die längere Lebensdauer der UV-LEDs weniger Ausfallzeiten der Anlagen. Zum anderen ermöglichen die austauschbaren LED-Module der Lichtquellen eine schnelle und einfache Wartung vor Ort.
Mit spektraler Leistung, die der von Quecksilberdampflampen sehr ähnlich ist, eignen sich unsere lichtleiterbasierten UV-LED-Lichtquellen besonders gut als Ersatz für herkömmliche Lampentechnologie in bestehenden WEE-Prozessen.
Der Vergleich zwischen den breitbandigen UV-LED-Lichtquellen von Primelite und Lösungen mit herkömmlichen Quecksilberdampflampen zeigt eine hervorragende spektrale Übereinstimmung – und gleichzeitig einen erheblichen Leistungsvorsprung. Mit unseren UV-LED-Belichtungssystemen haben Sie volle Kontrolle: Konfigurieren und steuern Sie die i-, h- und g-Linie – den Spektralbereich um die zentralen Wellenlängen 365, 405 und 436 nm – einzeln oder nutzen Sie sie alle zusammen für maximale Leistung. Die Belichtungsvorgänge sind mit Schaltzeiten von unter einer Millisekunde bemerkenswert präzise und bleiben langfristig stabil.
Ausgangsleistung [mW]1 | Breitband (350 - 450 nm) | i-Linie (355 - 385 nm) |
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ALE/1.3 (CWL 365 / 405 / 436 nm)2 | 30.000 | 10.000 |
ALE/3.2 (CWL 365 / 405 nm)2 | 13.000 | 6.500 |
200 W Quecksilberdampflampe (typische Werte) | 7.500 | 3.000 |
1Ausgangsleistung gemessen am Lichtleiterende (aktiver Kern Ø 6,5 mm, Länge 1,5 m); Abweichungen von ±10% möglich
2Emitter CWL: 367,5±2,5 nm, 402,5±2,5 nm und 435,0±2.5 nm
Unsere Advanced UV-LED Light Engine ONE hat sich in WEE-Anwendungen durch ihre hervorragende Prozessstabilität und Präzision bewährt.
Erfahren Sie mehr über unsere Präzisions-UV-LED-Lichtquelle ALE/3, ein bemerkenswert günstiger Ersatz für Entladungslampen bei der Wafer-Randbelichtung.