与 Primelite 合作推动 UV-LED 集成到高端生产型掩膜对准器中
掩膜对准系统在 MEMS、化合物半导体、功率器件和微流体的后端光刻技术中占有突出地位。理由很充分：利用 先进的封装技术、如晶圆级芯片及封装（WLCSP）、扇出式晶圆级封装（FOWLP）、倒装芯片封装、3D-IC /硅通孔（TSV）、凸块和2.5D夹层等、越来越多的集成微结构的生产变得非常容易。
手动、半自动和全自动光罩对准器随处可见、从小批量的研发装置到大批量的生产线、Primelite 的 UV-LED 光刻曝光系统（ALE/1、ALE/1C 和 ALE/2）完全符合任何制造方案的要求、并已被集成到各种掩膜对准器中、以取代宽带应用中的小型（200 W、350 W、500 W）和中型（750 W、1,000 W、 1,500 W）汞弧灯。在纯 i-line 工艺中、我们的 UV-LED 曝光系统与额定功率高达 5,000 W 的传统放电灯的性能相当。
使用我们的 UV-LED 光引擎的掩膜对准器在接触（软/硬/真空）和近距离曝光的情况下产生了卓越的效果、它们在4英寸、6英寸、8英寸、12英寸甚至更大的基板上提供了卓越的均匀性,出色的准直特性（<2°）以及低质 0.7 微米的高分辨率。更少的整体维护、更长的 LED 使用寿命、更强的输出稳定性、无需等到曝光工具预热和冷却 – 我们的 UV-LED 解决方案降低了拥有成本、同时提供卓越的生产性能。
将我们的 UV-LED 曝光系统整合到掩膜对准器中
我们的 UV-LED 曝光解决方案取代了传统的灯房。您不再需要主光束折叠镜、吸收 450 nm 以上辐射的散热器、快门和过滤器。在许多情况下、我们的 LED 性能光学器件 也是传统的均质/冷凝组件的经济替代品/你可以通过集中方式从汞弧灯升级到我们的紫外 LED 技术：
- 如果您的设计范围具有挑战性、请务必查看我们的一体式光纤耦合 UV-LED 光源 ALE/1 具有一个灵活的高透光率 LED 导光板。
- 我们的高功率 UV-LED 曝光系统 ALE/1C 采用了分布式设计。控制子系（CSS）和小尺寸的曝光子系统（ESS）是独立的组件。ESS 直接集成到掩膜对准器中。
- 您可以通过我们的 UV-LED 光引擎实现 i-line 和宽带的极端强度、使用我们的 UV-LED 光引擎 ALE/2 并对超大型基材进行曝光。这也是一张分布式设置、曝光子系统（ESS）将安装在曝光工具中。
所有的解决方案都是可定制的、以便与您的面具对准器完美配合。改装– 即替换传统工具中的传统灯房–也是一种选择。
全功率宽带
我们的 UV-LED 曝光系统提供与汞放电灯类似的光谱输出、因此将您的光刻工艺升级到 UV-LED 曝光只需要最小的调整。我们的宽带 UV-LED 曝光装置不是您的唯一选择：我们还提供 i-line（365 nm）配置和双峰值波长的设置（365 / 405 nm）。
曝光强度的比较
| 晶片尺寸 | 6" | 8" | 12" | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 辐射度 [mW/cm2] | 宽带 | i-line | 宽带 | i-line | 宽带 | i-line |
ALE/11 | 90 | 37 | 50 | 22 | — | — |
ALE/1C1,3 | 120 | 50 | 70 | 30 | — | — |
ALE/22,3 | — | — | 130 | 130 | 50 | 50 |
汞放电灯（典型值） | ||||||
| 350 W | 50 | 25 | 25 | 12 | — | — |
| 500 W | 75 | 37 | 35 | 17 | — | — |
| 1,000 W | 150 | 75 | 70 | 35 | — | — |
| 5,000 W2 | — | — | 250 | 130 | 100 | 50 |
1直径 150 毫米起的圆形曝光区
2方形曝光区、开始为 200 X 200 毫米
3标准模式、带有冷却器的性能模式提供额外的 20% 的输出
为什么 Primelite 的 UV-LED 曝光系统用于掩膜对准器
- 易于集成的高强度 UV-LED 点光源
- 稳定、精确、一致的辐射输出
- i-、h- 和 g-line（350 - 450 nm）的灵活多色覆盖、因此无需滤光片
- UV-LED 技术可延长使用寿命并降低 TCO
- 比放电灯更安全
- 运行时温度低得多、因为不需要氮气或 CDA
- 切换速度小于 1 毫秒
