掩膜对准系统在 MEMS、化合物半导体、功率器件和微流体等领域的后端光刻工艺中扮演着关键角色。其地位毋庸置疑:随着先进封装技术的发展——如晶圆级芯片封装(WLCSP)、扇出式晶圆级封装(FOWLP)、倒装芯片封装、3D IC/硅通孔(TSV)、凸块互连以及 2.5D 夹层——集成微结构的制造正变得前所未有的高效和便捷。
手动、半自动和全自动光罩对准器广泛应用于从小批量研发到大规模生产的各类场景。Primelite 的 UV-LED 光刻曝光系统(ALE/1、ALE/1C 和 ALE/2)能够满足不同制造需求,并已成功集成到多种掩膜对准器中,用于替代宽带应用中的小功率(200 W、350 W、500 W)及中功率(750 W、1,000 W、1,500 W)汞弧灯。在纯 i-line 工艺中,我们的 UV-LED 曝光系统更可媲美额定功率高达 5,000 W 的传统放电灯,性能表现卓越。
采用我们 UV-LED 光引擎的掩膜对准器在接触(软/硬/真空)及近接触曝光条件下均展现出卓越表现。它们可在 4 英寸、6 英寸、8 英寸、12 英寸甚至更大尺寸的基板上实现出色的均匀性,具备优异的准直特性(<2°),并支持高达 0.7 微米的分辨率。凭借更少的维护需求、更长的 LED 使用寿命、更高的输出稳定性,以及无需等待预热或冷却的优势,我们的 UV-LED 解决方案在降低总拥有成本的同时,大幅提升了生产性能。
我们的 UV-LED 曝光解决方案彻底取代了传统灯房,无需再依赖主光束折叠镜、450 nm 以上辐射吸收器、快门和过滤器。在许多应用中,我们的 LED 性能光学器件 也可作为传统均质器/冷凝器组件的高效、经济替代方案。借助集中式升级路径,您可以轻松从汞弧灯平滑过渡至我们的 UV-LED 技术,实现更高效、更可持续的光刻解决方案。
我们的所有解决方案都支持定制,可与您的掩膜对准器实现无缝匹配。您也可以选择通过改装方式——直接替换传统工具中的灯房——来升级到 UV-LED 技术。





我们的 UV-LED 曝光系统可提供与汞放电灯相近的光谱输出,因此将光刻工艺升级至 UV-LED 仅需极少调整。除了宽带 UV-LED 曝光装置外,我们还提供 i-line(365 nm)专用配置,以及双峰值波长(365 / 405 nm)方案,以满足不同工艺需求。
| 晶片尺寸 | 6" | 8" | 12" | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 辐射度 [mW/cm2] | 宽带 | i-line | 宽带 | i-line | 宽带 | i-line |
ALE/11 | 90 | 37 | 50 | 22 | — | — |
ALE/1C1,3 | 120 | 50 | 70 | 30 | — | — |
ALE/22,3 | — | — | 130 | 130 | 50 | 50 |
汞放电灯(典型值) | ||||||
| 350 W | 50 | 25 | 25 | 12 | — | — |
| 500 W | 75 | 37 | 35 | 17 | — | — |
| 1,000 W | 150 | 75 | 70 | 35 | — | — |
| 5,000 W2 | — | — | 250 | 130 | 100 | 50 |
1直径 150 毫米起的圆形曝光区
2方形曝光区,开始为 200 × 200 毫米
3标准模式,带有冷却器的性能模式提供额外的 20% 的输出
