用于晶圆边缘曝光的 Primelite UV-LED 光源：经济高效、功能强大且极其可靠
晶圆边缘曝光（WEE）是大批量半导体制造中的常见步骤。WEE 使用光刻工具（例如晶圆步进机）对曝光后处理的晶圆圆形边缘和 ID 区域进行加工。晶圆厂将这种高强度曝光添加到生产线中，以提高晶圆半导体器件的产量。WEE 可实现晶圆边缘的最小曝光宽度，从而最大限度地减少产量损失（正抗蚀剂）或在后续处理过程中保护边缘免受污染（负抗蚀剂）。WEE 设备既可以作为独立单元连接到半导体晶圆轨道，也可以直接集成到步进设备中。
目前，大多数 WEE 应用使用 350 至 450 nm 光谱范围内的宽带辐射。最常见的解决方案是额定功率为 150 至 500 W 的传统光纤耦合汞放电灯。由于 WEE 需要宽带曝光，因此很难找到更经济、更可靠的替代方案。Primelite 的高级光引擎 ALE/1 和 ALE/3 则通过灵活的 LED 光导提供光输出，这两个系统均覆盖传统汞放电灯的光谱范围，并轻松超过晶圆边缘曝光工艺所需的典型强度。
晶圆边缘曝光设置中的系统集成
WEE 硬件包括一个扫描仪、一个旋转装置和一个强大的点光源，带有用于曝光晶圆边缘的光学器件。我们的 UV-LED 光源 ALE/1 和 ALE/3 正好适合这些设置：它们是唯一可用的固态照明解决方案，涵盖 i-、h- 和 g-line，用于晶圆边缘的宽带曝光。Primelite 的环保 UV-LED 光源 ALE/1 和 ALE/3 提供精确控制的输出，以确保高度准确的曝光结果。我们的曝光系统还可以提高您设备的日常运行效率：一方面，UV-LED 更长的使用寿命意味着更少的设备停机时间；另一方面，我们所有的光源都具有可现场更换的 LED 模块，可实现快速、轻松的维护。
凭借与汞放电灯非常相似的输出光谱，我们的光纤耦合 UV-LED 光源也特别适用于替代现有 WEE 处理器中的传统灯技术。
全功率宽带
Primelite 的宽带 UV-LED 光源与采用传统汞放电技术的解决方案之间的快速比较显示出出色的光谱匹配，同时揭示了显著的性能差距。让我们的 UV-LED 曝光系统让您掌控全局：可单独配置和驱动 i-、h- 和 g-line——中心波长分别位于 365、405 和 436 nm 附近的光谱范围——或者将它们全部组合以获得最大输出。曝光操作在毫秒级切换时间内非常精确，并且长期保持稳定。
输出性能比较
| 输出功率 [mW]1 | 宽带 (350 - 450 nm) | i-line (355 - 385 nm) |
|---|---|---|
| ALE/1.3 (CWL 365 / 405 / 436 nm)2 | 30,000 | 10,000 |
| ALE/3.2 (CWL 365 / 405 nm)2 | 13,000 | 6,500 |
| 200 W 汞放电灯（典型值） | 7,500 | 3,000 |
1在光导末端测量的功率输出（有源芯直径 6.5 mm、长度 1.5 m）；偏差可能为 ±10%
2发射器的 CWL：367.5±2.5 nm、402.5±2.5 nm 和 435.0±2.5 nm
为什么 ALE ONE 或 ALE THREE 用于晶圆边缘曝光：
- 光纤耦合 UV-LED 光源，便于系统集成
- 输出强度高达 90,000 mW/cm2
- 单波长和宽带曝光：i-、h- 和 g-line（350–450 nm）
- 出色的短期和长期光输出稳定性和精度
- 1 毫秒快速切换
- UV-LED 技术可延长使用寿命，并降低 TCO
- 比放电灯更安全
- 环保型 UV-LED 光源，无需昂贵的废物处理
