使用 Primelite 的 UV-LED 晶圆步进照明器重新定义先进封装工艺的效率
宽带晶圆步进器、也称为 1X 步进器和迷你步进器、对于扇出晶圆级封装（FOWLP）、晶圆级芯片级封装（WLCSP）和硅通孔（硅通孔）。这些高度专业化的步进重复光刻系统用于创建复杂的微结构、例如 MEMS 和化合物半导体。
如果您想将步进器升级为 UV-LED 照明、我们的宽带 UV-LED 光源 ALE/1 和 ALE/1C 采用我们的解决方案后、您可以完全灵活地选择工艺中可能需要应用的光敏先进封装材料。
我们的设置是独一无二的：将围绕 i-、h- 和 g-line 的各个 LED 模块组合成一个光路、让您可以完全控制 350 – 450 nm 范围内宽带曝光的光谱成分。我们提供高功率辐射输出、因此您可以取代任何额定功率高达 1,000 W 甚至更高的传统汞弧灯。因为更换汞灯造成的停机时间和处理汞废物等等的麻烦事、通过将我们的 UV-LED 技术集成到您的光刻工具中、这一切不便都将成为过去。
我们的系统每天都在无数半导体生产应用中证明自己的优点。通过在晶圆步进器中使用我们的高性能 UV-LED 照明技术、您可以实现低至 1 µm 甚至亚微米范围内的分辨率。其出色的输出稳定性和可靠性可帮助您提高系统吞吐量（WPH）、同时降低拥有成本。
将我们的 UV-LED 照明器集成到宽带晶圆步进器中
我们的 UV-LED 曝光解决方案取代了传统的灯箱。您不再需要主光束折叠镜、用于吸收超过 450 nm 辐射的散热器、快门和滤光片。在许多情况下、我们的 LED 高性能光学器件也是传统均化/聚光组件的经济替代品。您有两种选择可以将您的晶圆步进器从汞弧灯升级到我们的 UV-LED 照明：
- 如果您的设计范围具有挑战性、请务必查看我们的一体式光纤耦合 UV-LED 光源 ALE/1、它具有灵活的 LED 光导、可耦合到宽带步进器的集成光学器件中
- 我们的高功率 UV-LED 曝光系统 ALE/1C 采用分布式设计。控制子系统 (CSS）和小型曝光子系统（ESS）是独立的组件。 ESS 取代了晶圆步进器的传统灯箱。
我们可以定制这两种解决方案以完美适合您的设备。改造现有系统也是一种选择。
I-line、H-line 和 G-line 组合以获得全功率
许多光刻应用依赖于包含 i-、h-、g-line（CWL 365 / 405 / 436 nm）辐射的宽带曝光。我们的 UV-LED 曝光系统提供与汞放电灯类似的光谱输出、因此将您的光刻工艺升级到 UV-LED 曝光需要最少的调整。还提供具有两个中心波长（365 / 405 nm 或 405 / 436 nm）的设置
输出性能比较
| 输出功率 [mW] | 宽带 (350 - 450 nm) | i-line (355 - 385 nm) |
|---|---|---|
ALE/1 | 30,000 | 10,000 |
ALE/1C1 | 40,000 | 17,000 |
汞放电灯（典型值） | ||
| 500 W | 25,000 | 12,000 |
| 1,000 W | 50,000 | 25,000 |
1标准模式、带有冷却器的性能模式提供额外的 20% 的输出
Ultra-precise Exposure
我们的 UV-LED 曝光解决方案的切换时间（0 到 100%）小于 1 毫秒。内部闭环反馈控制系统使辐射输出在短周期和较长曝光周期内保持恒定。这些功能相结合、只需一个定时器即可实现 ±0.2% 的 50 毫秒精准发射。精度甚至随着更长的曝光周期而增加
为什么 Primelite 的 UV-LED 照明器用于晶圆步进器
- 易于集成的高强度 UV-LED 点光源
- 稳定、精确、一致的辐射输出
- i-、h- 和 g-line（350 - 450 nm）的灵活多色覆盖、因此无需滤光片
- 用于校准的可选绿色 LED（CWL 530 nm）
- UV-LED 技术可延长使用寿命并降低 TCO
- 比放电灯更安全
- 运行时温度低得多、因为不需要氮气或 CDA
- 切换速度小于 1 毫秒
